主 催:半導体の放射線照射効果研究会実行委員会
共 催:大阪府立大学
開催日時:平成 16 年 2 月 6 日 ( 金 )10 : 00 〜 17 : 40 ( 懇親会 17 : 50 〜 19 : 30)
会 場:大阪府立大学 / 学術交流会館 ( 堺市学園町 1-1)/ 多目的ホール
電 話: ( 代表 )072-252-1161,
学術交流会館受付 ( 内線 )2791, 多目的ホール ( 内線 )2792
地下鉄御堂筋線 / なかもず駅下車 / 徒歩 15 分 or 南海高野線 / 中百舌鳥駅下車 / 徒歩 15 分
研究参加費:無料 ( なるべく事前申込みを )
懇親会費 : 3,000 円 ( 御出席の方は当日受付にてお支払い下さい )
連 絡 先:高橋 芳浩 ( 日大理工 /Tel:047-469-5459, e-mail:ytaka@ecs.cst.nihon-u.ac.jp)
泉 勝俊 ( 阪府大先端研 /Tel:072-254-9827, e-mail:izumi@riast.osakafu-u.ac.jp)
先端科学研究所WEBSite---[催事案内]
プログラム ( 敬称略 )
10:00 〜 10:10 開会の挨拶 実行委員会・幹事 / 阪府大先端研 泉 勝俊
大阪府立大学・学長 南 努
1.10:10 〜 10:55 招待講演「沖電気の SOI 技術の現状」 沖電気工業シリコンソリューションカンパニー 馬場 俊祐
2.10:55 〜 11:15 「 MDS-1( つばさ ) 搭載民生用メモリ素子のトータルドーズ効果に関する解析結果」 JAXA 新藤 浩之
3.11:15 〜 11:35 「 SOI 素子のシングルイベント耐性に関する研究
〜 MOS キャパシタにおけるシングルイベント過渡電流の測定〜」 日大理工 芝田 利彦
4.11:35 〜 11:55 「サーマルドナーの放射線照射効果」 熊本電波工業高専 高倉 健一郎
5.11:55 〜 12:05 「阪府大先端研 / 放射線照射施設ガイダンス」 阪府大先端研 奥田 修一
12:05 〜 12:55 昼食・休憩
12:55 〜 13:20 「阪府大先端研 / 放射線照射施設見学会」 ( 見学希望者 )
6.13:20 〜 14:05 招待講演「半導体の放射線誘起欠陥」 阪府大名誉教授 / 大阪ニュークリアサイエンス 北川 通治
7.14:05 〜 14:25 「シリコン中に導入された照射欠陥への水素の効果」 愛知工業大学 徳田 豊
8.14:25 〜 14:45 「 A study on radiation damage of IGBTs by 2-MeV electrons
at different irradiation temperatures 」 ルネサステクノロジ 中林 正和
9.14:45 〜 15:05 「 Characterization of electron irradiated-induced defects in p-AllnGaP 」 豊田工業大学 Hae-Seok Lee
10.15:05 〜 15:25 「一般民生プロセス (0.18 μ m) の SEE 耐性について」 高信頼性部品 槇原 亜紀子
15:25 〜 15:35 休 憩
11.15:35 〜 15:55 「 Carrier Removal and Defect Generation in Lattice-Mismatched
InGaP under 1MeV Electron Irradiation 」 豊田工業大学 N.J.Ekins-Daukes
12.15:55 〜 16:15 「使用済み核燃料からの放射線シンチレーター光による
半導体光触媒の駆動」 電気通信大学 河野 勝泰
13.16:15 〜 16:35 「つばさによる地上用太陽電池の宇宙実証試験効果」 JAXA 今泉 充
14.16:35 〜 16:55 「 DS-1( つばさ ) 搭載民生用メモリ素子のシングルイベント効果
に関する解析結果」 JAXA 池田 直美
15.16:55 〜 17:15 「プロトン SEU と重イオン SEU の相関性」 高信頼性部品 梨山 勇
16.17:15 〜 17:35 「原研高崎研におけるシングルイベントに関する研究の
現状と今後の展開」 日本原子力研究所 平尾 敏雄
17:35 〜 17:40 閉会の挨拶 実行委員会・委員長 / 日本大学理工学部 大西 一功
18:00 〜 19:30 懇 親 会